共振隧穿
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半导体导电的特异性能是由它的导电机理决定的。半导体材料中除中子外还存在着带正电荷的...利用量子阱的共振隧穿效应可制作多种高频、高速负阻器件。量子阱结构中两种材料导带底的能量不同（△Ec≠0），当电子从宽禁带的势垒向窄禁带的势阱注入时，△ ...

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