GaN

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近些年来，随着时代经济的飞速发展以及科技的进步，GaN材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度，同时也有着较高的击穿场强。对于GaN基的HEMT器件而言，是实现毫米波功率器件的一种重要选择。分析GaN基新...

《科技创业月刊》 2015年15期 关键词: "GaN基","HEMT器件","毫米波" 收藏

在目前传统的GaN发光二极管中，因为发光部产生的热量无法得到有效的释放直接导致热量出现不断累加的情况致使LED 芯片出现了严重的恶化。文章主要探讨了GaN基LED 具体芯片自身可靠性优化技术的相应研究...

《科技创新与应用》 2015年20期 关键词: "GaN","LED芯片","可靠性","优化技术","研究" 收藏

采用MOCVD技术在硅衬底上生长了含有7个黄光量子阱和1个绿光量子阱的混合有源区结构的InGaN基黄绿双波长LED外延材料,研究了电子阻挡层前p-GaN插入层厚度对黄绿双波长LED载流子分布及外量子效...

《发光学报》 2020年02期 关键词: "硅衬底"," 黄绿双波长LED"," p-GaN插入层"," 发光光谱" 收藏

本文制作了栅极为金属Pt的AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器。当外加偏压VGS=-2.5 V时,研究了传感器在不同温度（25-150℃）下对不同氢气浓度（25-900 ppm）的响应特性。研...

《真空科学与技术学报》 2020年01期 关键词: "Pt/AlGaN/GaN HEMT"," 氢气传感器"," 温度"," 灵敏度"," Langmuir吸附等温线" 收藏

GaN HEMT凭借其高电子迁移率、高二维电子气浓度和高击穿电压等特性,在高频、高温和高功率密度领域有着广泛的应用,是功率器件的研究热点。文中对GaN HEMT中应用的场板技术进行了归类与综述,讨论了...

《南京邮电大学学报(自然科学版)》 2020年01期 关键词: "氮化镓高电子迁移率晶体管"," 场板"," 击穿电压"," 导通电阻" 收藏

使用第一性原理密度泛函理论(DFT)框架下的广义梯度近似(GGA+U)方法计算单轴应变对纤锌矿结构GaN的键长、差分电荷密度、电子结构以及光学性质的影响.结果表明:带隙随应变的增加而减小,压应变在(-...

《计算物理》 2020年01期 关键词: "氮化镓"," 应变"," 电子结构"," 光学性质"," 第一性原理" 收藏

针对Ka频段大功率发射机的要求,设计了一款基于0.15μm GaN工艺的5 W级输出的单片集成功率放大器.功率放大器工作频率为27-31 GHz,工作在AB类偏置条件下,采用3级单端共源结构,在末级使...

《南开大学学报(自然科学版)》 2020年01期 关键词: "Ka频段"," 功率放大器"," GaN工艺"," 功率合成" 收藏

报道了一款采用0.25μm GaN HEMT工艺的X波段高效率负载调制平衡放大器芯片。该芯片由两个射频端口的90°Lange耦合器,一对平衡功率放大器和一个控制信号功率放大器组成。通过改变同频率处控制...

《固体电子学研究与进展》 2020年01期 关键词: "负载调制平衡放大器"," 单片微波集成电路"," 高效率"," 幅度控制"," 相位控制" 收藏

第三代宽禁带半导体GaN晶体管具有低导通阻抗、低寄生参数和更快的开关速度,有望取代传统Si MOSFET,成为未来高性能电源系统实现方案。GaN器件的优势在400 V以上高压系统中更为明显,可以实现更...

《微电子学》 2020年02期 关键词: "低压GaN驱动"," 高压GaN驱动"," 无磁芯变压器隔离"," 耗尽型GaN"," 负压栅驱动" 收藏

采用100nm GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款应用于W波段的高功率密度功率放大器微波单片集成电路。该工艺采用厚度为50μm的SiC作为衬底。放大器采用三级级联拓扑结构,利用高低阻抗微带线与上...

《西安电子科技大学学报》 2020年01期 关键词: "GaN高电子迁移率晶体管"," W波段"," 功率放大器"," 微带线"," 微波单片集成电路" 收藏