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以调制掺杂结构形成的具有极高电子迁移率的二维电子气 (2DEG)为导电沟道的场效应电子...调制掺杂使得不掺杂的GaAs中的电子在空间上与提供载流子的N型中的施主分离,电子将不受电离杂质散射的影响,从而显示出极高的迁移率。HEMT的基本原 ...
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