MOSFET

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SiC材料具有较大的禁带宽度、高临界电场、高载流子饱和漂移速度和高热导率等优良特性,能广泛应用在高温、高压、大功率等领域。为探究温度对4H-SiC MOSFET静态特性的影响规律,以指导高温高压环境下...

《机车电传动》 2020年01期 关键词: "4H-SiC MOSFET"," 碳化硅"," 静态特性"," 温度特性"," 器件仿真" 收藏

基于Matlab和Simulink,提出了一种针对非线性器件的建模方法。以CREE公司的型号为C2M0080120D的SiC MOSFET为例,对其非线性电容CGD进行等效电路建模,采用曲线拟合的方法...

《机车电传动》 2020年01期 关键词: "Matlab"," Simulink"," SiC MOSFET"," 非线性器件"," 等效电路模型"," 曲线拟合"," 仿真模型"," 建模" 收藏

阐述了SiC器件和Si器件的开关特性和能耗对比;根据轨道交通牵引工况计算比较了SiC器件和Si器件的功率损耗;针对高开关频率应用,进行了包括温升、噪声、损耗、效率等一系列试验验证。试验结果表明,采用S...

《机车电传动》 2020年01期 关键词: "SiC MOSFET"," 逆变器"," 功率损耗"," 噪声"," 效率" 收藏

碳化硅(SiC)功率金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优越的特性受到广泛关注,介绍了非箝位感性开关(UIS)测试原理,搭建雪崩耐量测试平台,分析SiC MOSFET的单脉冲雪崩特性。探究UI...

《电力电子技术》 2020年04期 关键词: "金属氧化物半导体场效应管"," 单脉冲"," 雪崩" 收藏

在桥式结构的电压源型变换器中,IGBT器件需要反并联二极管以保证续流。而碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)由于具有双向导通的能力,且内部寄生体二极管,所以无需外部增加反并联二...

《电力电子技术》 2020年04期 关键词: "金属氧化物半导体场效应晶体管"," 开通电流尖峰"," 反向恢复电流" 收藏

为更好地发挥全SiC器件的开关速度快、损耗低等优势,研究了某款3 300 V全SiC MOSFET器件的开关特性。首先,通过理论分析阐述了开关变化过程,并给出了可量化的计算方法;其次,从驱动电阻、结温...

《机车电传动》 2020年01期 关键词: "3 300 V全SiC MOSFET"," 开关特性"," 驱动电阻"," 结温"," 杂散电感" 收藏