更新时间:-- | 阅读量: 72
介绍这部分的内容的目的:一是阐释说明温度为T时在半导体中测量传导电子和空穴密度Ne和N...这些空穴(在N型掺杂的情况下)称之为少数“载流子”,并且能发现它们的数目很少,而且有较强的温度依赖性exp(-)。这正是PN结在逆向电流时具有很强 ...
搜索到与“ n型掺杂”相关的文献共 0条
《中国研究型医院》
《课堂内外(科学Fans)》
《汽车工业研究》
《杂技与魔术》
《杂文月刊(文摘版)》
《中学生优秀作文(高中版)》
Copyright © 2013-2016 ZJHJ Corporation,All Rights Reserved
京ICP备2021021570号-13
京公网安备 11011102000866号