电子密度拓朴结构

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一种影响拓朴密堆相存在的电子因素, 记作V。 V可以通过下式计算:式中 Ci——组元......实验测定。例如,σ相对应的平均电子空位数为3.35~3.68。通过研究和测定平均电子空位数可以预测和防止在合金组织中出现拓朴密堆相。

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