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运用电路仿真研究了单粒子瞬态脉冲效应对铁电存储单元存储特性的影响。结合单粒子对MOS器件的影响,用电流模拟单粒子对存储单元的影响且进行仿真分析。仿真结果表明脉冲电流峰值越高,时间越长,铁电存储单元越容...
《压电与声光》 2014年6期 关键词: "铁电电容","铁电存储器","单粒子效应","电畴","仿真模型" 收藏
互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)在空间应用时会受到单个粒子辐照影...
《核技术》 2020年01期 关键词: "CMOS图像传感器"," 单粒子效应"," 抗辐射加固技术"," 空间辐射" 收藏
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