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为更好地发挥全SiC器件的开关速度快、损耗低等优势,研究了某款3 300 V全SiC MOSFET器件的开关特性。首先,通过理论分析阐述了开关变化过程,并给出了可量化的计算方法;其次,从驱动电阻、结温...
《机车电传动》 2020年01期 关键词: "3 300 V全SiC MOSFET"," 开关特性"," 驱动电阻"," 结温"," 杂散电感" 收藏
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