尖峰电流

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peak current

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  • SiC MOSFET开通的分析及抑制

    在桥式结构的电压源型变换器中,IGBT器件需要反并联二极管以保证续流。而碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)由于具有双向导通的能力,且内部寄生体二极管,所以无需外部增加反并联二...

    《电力电子技术》 2020年04期 关键词: "金属氧化物半导体场效应晶体管"," 开通电流尖峰"," 反向恢复电流" 收藏

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