等密度
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equidensity

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高密度RF等离子体刻蚀工艺直流自我偏压的研究
直流自我偏压作为高密度射频(RF)等离子体刻蚀工艺中的重要电学参数，反映出具有高能量的离子对待刻蚀晶片的轰击效果，后者决定了刻蚀工艺的各向异性、刻蚀速率、选择比及形貌特征等工艺结果。该文以HBr作为刻...

《压电与声光》 2014年5期关键词: "","ICP刻蚀系统","离子源功率","衬底偏压功率","刻蚀压力","气体流量","直流偏压" 收藏