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王阳元,中国科学院院士,微电子学家,我国硅栅N沟道技术开拓者之一。在多晶硅薄膜物理和...在多晶硅薄膜物理方面,提出了多晶硅薄膜氧化动力学的“应力增强氧化”模型、特征参量和应用方程,多晶硅薄膜载流子迁移率和掺杂浓度的关系,其成果于1991 ...
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