杂散参数
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stray parameter

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碳化硅器件建模与杂散参数影响机理
为了更准确地评估碳化硅宽禁带半导体功率器件的性能和系统特性,需要搭建不同封装下器件的快速行为仿真模型,包括静态特性模型与动态响应模型。首先基于MOSFET器件EKV模型,舍去了原模型的漂移区电阻并赋予...

《电机与控制学报》 2020年01期关键词: "宽禁带半导体器件"," 动静态特性建模"," 非线性寄生电容"," 杂散电感"," 分阶段开关状态方程"," 电压电流尖峰与振铃" 收藏