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    N高掺杂

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    王阳元,中国科学院院士,微电子学家,我国硅栅N沟道技术开拓者之一。在多晶硅薄膜物理和...他系统地组织实验研究，对P型、N型杂质掺杂和非掺杂的多晶硅薄膜在700～1300℃广阔的温度范围内进行氧化特性研究，结果发现：这种增强氧化现象，不仅 ...

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