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    金属有机物化学气相淀积(MOCVD)

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    由两种或两种以上组分不同,或导电类型不同的纳米级超薄层(层厚10-1～10nm)材料交替地外...制备制备超晶格的主要超薄层半导体材料生长技术有分子束外延（MBE）、金属有机物化学气相淀积（MOCVD）和综合了MBE和MOCVD优点的化学 ...

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