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用区熔法单晶生长技术制备的半导体硅材料,是重要的硅单晶产品。由于硅熔体与坩埚容器起...中子嬗变晶体还有辐照缺陷，在纯氢或氩-氢混合气氛中区熔时，常引起氢致缺陷。其中漩涡缺陷有A、B、C和D四种，其特性及易出现的主要条件列于表1。表1漩涡 ...
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