限幅放大器

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  • 5~6 GHz低噪声的研制

    采用GaAs增强型pHEMT工艺,将限幅器和低噪声放大器集成在同一衬底,设计了一款用于5~6 GHz的限幅低噪声放大器。限幅器采用PIN二极管进行设计,低噪声放大器采用并联负反馈、源级电感负反馈以及电...

    《固体电子学研究与进展》 2020年01期 关键词: "赝型高电子迁移率晶体管"," 限幅器"," 低噪声放大器"," 负反馈" 收藏

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