翘曲度
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zero camber

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InP晶圆背面减薄工艺中翘曲度的控制与矫正
背面减薄是制备InP基光电子芯片的一道重要工艺。晶圆被减薄后失去结构支撑,会因应力作用产生剧烈形变,翘曲度大幅提高。严重的翘曲会使芯片可靠性降低甚至失效,应对晶圆的翘曲度进行控制和矫正。文章从"损伤层...

《半导体光电》 2020年03期关键词: "InP晶圆"," 背面减薄"," 损伤层"," 翘曲度"," 湿法腐蚀" 收藏