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用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路,又称高压浮动MOS门极驱动器。对门极...例如IR2130组件为六输出门极驱动器,在三相逆变电路中,用一片组件,一个+15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET,使电路大为简化。它还具 ...
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第三代宽禁带半导体GaN晶体管具有低导通阻抗、低寄生参数和更快的开关速度,有望取代传统Si MOSFET,成为未来高性能电源系统实现方案。GaN器件的优势在400 V以上高压系统中更为明显,可以实现更...
《微电子学》 2020年02期 关键词: "低压GaN驱动"," 高压GaN驱动"," 无磁芯变压器隔离"," 耗尽型GaN"," 负压栅驱动" 收藏
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