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从景观照明角度,要有效地利用LED光源,就必须对它的光、电和热特性及一些基本参数有所...图13-76示出了GaASP/GaP、GaP/GaP，GaAlAs/GaAs，GaAlAs/GaAlAs，GAN/Sic和InGaN/Sic等数种材 ...
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采用MOCVD技术在硅衬底上生长了含有7个黄光量子阱和1个绿光量子阱的混合有源区结构的InGaN基黄绿双波长LED外延材料,研究了电子阻挡层前p-GaN插入层厚度对黄绿双波长LED载流子分布及外量子效...
《发光学报》 2020年02期 关键词: "硅衬底"," 黄绿双波长LED"," p-GaN插入层"," 发光光谱" 收藏
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