尖峰抑制
更新时间:-- | 阅读量: 62

9.2.1 矩形磁芯基本特性材料矩形磁滞回线,如图9-8(a)所示是在内外径之比接近1的环形磁...通常采用矩形磁滞回线材料的单匝磁珠或多匝尖峰抑制器实现尖峰抑制。1.尖峰抑制磁珠（1）原理非晶磁珠是一个具有外径D、内径d和高度h的小型环 ...

搜索到与“ 尖峰抑制”相关的文献共 1条

SiC MOSFET开通电流尖峰的分析及抑制
在桥式结构的电压源型变换器中,IGBT器件需要反并联二极管以保证续流。而碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)由于具有双向导通的能力,且内部寄生体二极管,所以无需外部增加反并联二...

《电力电子技术》 2020年04期关键词: "金属氧化物半导体场效应晶体管"," 开通电流尖峰"," 反向恢复电流" 收藏