垂直腔面发射激光器
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用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs的ICP刻蚀工艺研究
采用电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备对应用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用光刻胶作为刻蚀掩模,Cl2/BCl3作为刻蚀工艺气体,通过实验分析总结了IC...

《中国激光》 2020年04期关键词: "激光光学"," 垂直腔面激光发射器"," 电感耦合等离子体刻蚀"," 圆台结构"," GaAs/AlGaAs材料" 收藏
垂直腔面发射激光器中GaAs/AlGaAs的选择性刻蚀技术研究
在氧化物限制型垂直腔面发射激光器制备中,刻蚀GaAs/AlGaAs时因异质型材料常出现选择性内蚀现象,这会直接影响后续的氧化工艺及电极钝化的效果。针对因选择性内蚀而出现的"镂空"现象,对湿法刻蚀工艺和...

《中国激光》 2020年04期关键词: "激光技术"," 垂直腔面发射激光器"," GaAs/AlGaAs"," 湿法刻蚀"," 感应耦合等离子体刻蚀"," 选择性内蚀"," 镂空" 收藏