电子掺杂

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介绍这部分的内容的目的:一是阐释说明温度为T时在半导体中测量传导电子和空穴密度Ne和N...这是很大的掺杂,电子浓度远远超过了本征热激发产生的电子数1.22×1020m-3。在300K时,为什么会有多大部分的电子留在施主态呢?利用有效质量 ...

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