GaN器件
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浅析GaN基新型结构HEMT器件
近些年来，随着时代经济的飞速发展以及科技的进步，GaN材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度，同时也有着较高的击穿场强。对于GaN基的HEMT器件而言，是实现毫米波功率器件的一种重要选择。分析GaN基新...

《科技创业月刊》 2015年15期关键词: "GaN基","HEMT器件","毫米波" 收藏
GaN功率器件栅驱动电路技术综述
第三代宽禁带半导体GaN晶体管具有低导通阻抗、低寄生参数和更快的开关速度,有望取代传统Si MOSFET,成为未来高性能电源系统实现方案。GaN器件的优势在400 V以上高压系统中更为明显,可以实现更...

《微电子学》 2020年02期关键词: "低压GaN驱动"," 高压GaN驱动"," 无磁芯变压器隔离"," 耗尽型GaN"," 负压栅驱动" 收藏