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    多晶硅工艺过程危险、有害因素

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    电导率介于导体与绝缘体之间的功能材料,是当代电子信息领域中最重要的新材料。它的主要...1956年联邦德国西门子公司研究的三氯氢硅氢还原法（见硅多晶的西门子法制备）获得成功，使硅多晶中的有害杂质含量降到十亿分之一的数量级，并实现了工业化生 ...

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