氧化模型

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王阳元,中国科学院院士,微电子学家,我国硅栅N沟道技术开拓者之一。在多晶硅薄膜物理和...王阳元总结提出了“应力增强氧化”模型,并据此推导出了指导多晶硅薄膜氧化的工程方程和特征参数。这个结果被国际同行认为:“对许多微电子领域工作者都有重要 ...

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