磁存储
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用于制作存储元件的磁性材料。包括铁氧体存储材料和金属存储材料两类。......低的HC（50Ni-Fe约为24A/m，79Ni-4Mo-Fe约为5.6A/m），较高的TC（460～500℃），更好的温度稳定性。适用于计算机的存储元件和逻辑 ...

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光与原子纠缠存储寿命与磁场噪声关系的实验研究
在冷原子系综中,利用自发拉曼散射过程产生光与原子纠缠,测量了恢复效率随存储时间的关系。实验结果显示在没有施加轴向磁场时的存储寿命仅仅只有40μs。而在施加轴向磁场的情况下,存储时间在50μs以后甚至在...

《量子光学学报》 2020年01期关键词: "冷原子系综"," 自发拉曼散射"," 光与原子纠缠"," 磁场噪声" 收藏