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半导体晶体生长的主要方法之一。1925年美国的布里支曼(Bridgman)发明了这种生长单晶的方......φ50mm、φ76mm、φ100mm的半绝缘及掺硅n型、掺锌p型的GaAs单晶，其性能优良。垂直法有可能取代水平法和液封直拉法来生 ...
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