更新时间:-- | 阅读量: 316
随着半导体器件的发展,中频电源领域也发生着日新月异的变化,这是因为使用各种新兴的半...从结构角度讲,它是以GTR为主导件、MOSFET为驱动件的达林顿结构。IGBT由三个极构成:(1)门极(G),又称栅极,它是控制极,当施加在门极上的电 ...
搜索到与“ 达林顿结构”相关的文献共 0条
《雷达与对抗》
《雷达科学与技术》
《船舶力学》
《航空电子技术》
《结构工程师》
《飞机设计》
Copyright © 2013-2016 ZJHJ Corporation,All Rights Reserved
京ICP备2021021570号-13
京公网安备 11011102000866号