达林顿结构

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随着半导体器件的发展,中频电源领域也发生着日新月异的变化,这是因为使用各种新兴的半...从结构角度讲,它是以GTR为主导件、MOSFET为驱动件的达林顿结构。IGBT由三个极构成:(1)门极(G),又称栅极,它是控制极,当施加在门极上的电 ...

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