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介绍这部分的内容的目的:一是阐释说明温度为T时在半导体中测量传导电子和空穴密度Ne和N...如果我们忽略费米能伴随有效质量的不同而产生的改变。接下来，研究重N型掺杂的InAs，在300K具有浓度为1018cm-3＝1024m-3的浅层施主 ...
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