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一块半导体内部p型区与n型区分界面形成区域。如果在高纯的Si或Ge半导体片的两侧分别...此时若施加一个和E反向的电场,则电子和空穴又能继续迁移,形成电流。若施加电场和E同向,则电子和空穴更难穿过p-n结迁移,因而不可能形成电流。由此可见 ...
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