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掺杂浓度高,其电阻率达到2×10-2Ω·cm的半导体硅材料,属简并半导体。其特点是:(1)杂质...制备重掺锑硅单晶的技术难度较大。尤其是易产生位错和因杂质管道效应（小平面效应）造成的径向电阻率均匀性较差。拉制重掺锑硅单晶的技术关键是：配 ...
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