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在特定的气氛、压力等条件下,按照一定的温度程序,对半导体单晶锭或晶片进行热处理的半导...半绝缘砷化镓单晶锭在850~950℃和氮或氮+砷气氛下整锭退火后,电子迁移率从<4000cm2/(V·s)提高到>4000cm2/(V· ...
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