SiC

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<p>通过第一性原理计算研究了Cr掺杂4H-SiC电子结构和磁性。</p>

《大连交通大学学报》 2015年4期 关键词: "稀磁半导体","电子结构","磁性","第一性原理4H-SiC" 收藏

以生物质碳为碳源，以S102和Si混合粉体为硅源，通过控制碳热还原合成的工艺条件分别合成了SiC微球、SiC/Si0，纳米串珠和SiC纳米线等．借助XRD、SEM及TEM等测试手段分析了三种纳米结构S...

《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2015年4期 关键词: "纳米结构SiC","微观结构","光催化性能" 收藏

对碳化硅粉体进行预氧化处理,以Al2O3-Mg O-Y2O3为烧结助剂,在不同温度下无压烧结制备Si C陶瓷.对陶瓷样品的晶体结构和表面微结构进行了检测分析,研究烧结温度和碳化硅粉体是否预氧化处理对陶...

《伊犁师范学院学报（自然科学版）》 2016年02期 关键词: "碳化硅陶瓷"," 预氧化"," 制备工艺" 收藏

为探索Si C/Al功能梯度材料的电火花加工特性,建立了电火花加工连续多脉冲放电温度场仿真模型,开展了连续多脉冲放电蚀除动态模拟仿真研究,应用生死单元法分析了放电凹坑位置的随机分布情况,研究了峰值电流...

《电加工与模具》 2017年05期 关键词: "功能梯度材料"," 电火花加工"," 连续多脉冲放电"," 生死单元法" 收藏

SiC材料具有较大的禁带宽度、高临界电场、高载流子饱和漂移速度和高热导率等优良特性,能广泛应用在高温、高压、大功率等领域。为探究温度对4H-SiC MOSFET静态特性的影响规律,以指导高温高压环境下...

《机车电传动》 2020年01期 关键词: "4H-SiC MOSFET"," 碳化硅"," 静态特性"," 温度特性"," 器件仿真" 收藏

基于Matlab和Simulink,提出了一种针对非线性器件的建模方法。以CREE公司的型号为C2M0080120D的SiC MOSFET为例,对其非线性电容CGD进行等效电路建模,采用曲线拟合的方法...

《机车电传动》 2020年01期 关键词: "Matlab"," Simulink"," SiC MOSFET"," 非线性器件"," 等效电路模型"," 曲线拟合"," 仿真模型"," 建模" 收藏

为了提高C/C复合材料高温抗氧化性能,依次采用前驱体浸渍裂解、反应熔体浸渗和浆料涂刷工艺在C/C复合材料表面制得HfB2-WB2-Si/SiC-SiCNW复合涂层,考察了W/Hf摩尔比对复合涂层物相组...

《武汉科技大学学报》 2020年01期 关键词: "W/Hf摩尔比"," C/C复合材料"," 复合涂层"," SiC纳米线"," 前驱体浸渍裂解"," 浆料涂刷"," 抗氧化性能" 收藏

将HfB2和ZrB2陶瓷粉按体积比1:1混合制成高固相含量的浆料,通过料浆浸渍结合聚碳硅烷先驱体的浸渍裂解,制备密度为3.37 g/cm3的C/C-HfB2-ZrB2-SiC复合材料,研究材料的显微组...

《粉末冶金材料科学与工程》 2020年02期 关键词: "2-ZrB2-SiC复合材料","","MTczNjhiTDdPc3VVSEZvUU5FUjlndko2WFlNRC92STRkdzJNeWVyT1ZUYjdwWlpCcFpGeVNXN3FtSTE4WGF4T0thSVhwUlZmQXFiYz1Ka0xJQTh2dQ==)","&#xA"," >C/C-HfB2-ZrB2-SiC复合材料"," 料浆"," 微观结构"," 力学性能"," 抗烧蚀性能" 收藏

阐述了SiC器件和Si器件的开关特性和能耗对比;根据轨道交通牵引工况计算比较了SiC器件和Si器件的功率损耗;针对高开关频率应用,进行了包括温升、噪声、损耗、效率等一系列试验验证。试验结果表明,采用S...

《机车电传动》 2020年01期 关键词: "SiC MOSFET"," 逆变器"," 功率损耗"," 噪声"," 效率" 收藏

为解决轨道交通牵引及辅助系统的轻量化等问题,宽禁带半导体器件如SiC器件的应用需求越来越大。SiC材料具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和漂移速率快等特性,能满足在中大功率、高温、高频条件下工作的应用...

《机车电传动》 2020年01期 关键词: "SiC"," 宽禁带半导体"," 牵引系统"," 辅助供电系统"," 轨道交通" 收藏